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SPB80N08S2L-07中文资料

SPB80N08S2L-07图片

SPB80N08S2L-07外观图

  • 大小:310.05KB
  • 厂家:INFINEON [Infineon Technologies AG]
  • 描述:OptiMOS Power-Transistor
  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:OptiMOS?
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):75 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):6.8 毫欧 @ 67A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):233 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):6820 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):300W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:PG-TO263-3-2
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

SPB80N08S2L-07供应商

更新时间:2023-01-12 04:06:58
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